ASELSAN ile Bilkent Üniversitesi arasında önemli işbirliği

  • Yazı boyutu
ASELSAN ile Bilkent Üniversitesi arasında önemli işbirliği

Savunma Sanayii Müsteşarı Murad Bayar:"(GaN teknolojisi) Radar alanında en kritik teknolojiyi kazanıyoruz"

Savunma Sanayii Müsteşarı Murad Bayar, ilk olarak savunma teknolojileri alanında kullanılmaya başlanan Galyum Nitrat (GaN) maddesinin Türkiye'deki geliştirme çalışmalarına ilişkin, "Radar alanında en kritik teknolojiyi kazanıyoruz" dedi.
     ASELSAN ile Bilkent Üniversitesi Nanoteknoloji Araştırma Merkezi (NANOTAM) arasında "Galyum Nitrat (GaN) Transistör ve Tümleşik Devre Yapımı İçin İleri Teknoloji Yatırımı" konusunda mutabakat muhtırası törenle imzalandı.
     Törende konuşan Savunma Sanayii Müsteşarı Bayar, ASELSAN ile birlikte sistem mühendisliğinin tasarım ve modüle kadar yol aldığını, şimdi de malzeme üretimine geçileceğini söyledi.
     Bayar, bu teknolojinin radar üretiminde kullanılacağını belirterek, "Radar alanında en kritik teknolojiyi kazanıyoruz" dedi.
     ASELSAN Genel Müdürü Cengiz Ergeneman da radar gibi gelişmiş sistemleri Türkiye'nin üretmesi, başka ülkelere bağlı kalınmaması için bu ürünlerin geliştirilmesi gerektiğini ifade etti.
     Bilkent üniversitesi Rektörü Prof. Dr. Abdullah Atalar da bu projenin, üniversitelere araştırma için verilen kaynakların gerçek hayatta faydalı işlere dönüştüğünün güzel bir örneği olacağını kaydetti.
    
     -GaN transistörler 2016 yılında üretilecek-
    
     ASELSAN Radar Elektronik Harp ve İstihbarat Sistemleri (REHİS) Grubu Tasarım Direktörü Oğuz Şener de bu ürünün dünyada 4 ülkede üretildiğini, ancak satışının sınırlı ve izine tabi olduğunu belirtti.
     Şener, ABD'den bir miktar malzeme alınabildiğini, üstünün sınırlı olarak bile verilmediğini belirterek, Avrupa'da bazı fabrikaların üretime başladığını, ancak kalitesinin nasıl olduğunun henüz belirlenmediğini söyledi.
     Türkiye'de GaN üretim altyapısı kurma ve geliştirme sürecinin 2014'te tamamlanacağına dikkati çeken Şener, yeni nesil milli radarlarda kullanılacak ilk GaN transistörlerinin üretiminin 2016 yılında gerçekleştirileceğini bildirdi.
     Bilkent Üniversitesi NANOTAM Direktörü Prof. Dr. Ekmel Özbay da 10 yıl süren çalışmalar sonucunda Türkiye'de GaN teknolojisinin geliştirildiğini belirterek, artık bu teknolojinin ticari olarak kullanılacak aşamaya geldiğini vurguladı.
     Özbay, bu teknoloji ile yüksek güçlü GaN nanotransistörleri ve nanofabrikasyon malzeme üretileceğini söyledi.
    
     -GaN teknolojisi nedir--
    
     Alınan bilgilere göre, GaN teknolojisi fiziksel özellikleri nedeniyle son yıllarda tüm dünyada üstünde yoğun çalışmalar yapılan yeni bir yarı iletken malzeme. GaN teknolojisinin hem sivil hem de askeri bir çok alanda kullanılması hedefleniyor.
     Bu konudaki yatırımlarla, radar, uydu aktarıcı, karıştırıcı ve yeni nesil cep telefonu sistemlerinde uygulama alanı bulması beklenen ve savunma sanayi alanında sağladığı kritik avantajlar nedeniyle ihracat izni sorunları yaşanan GaN teknolojisine dayalı ürünlerin milli imkanlarla üretilmesi sağlanmış olacak.
     GaN teknolojisine hakim olunması ile özellikle radarların önemli bir parçası olan güç transistörleri yarı büyüklükte ve 5 kat daha güçlü olacak.
    
    
    


Bu haberi 249 kişi okudu

Ziyaretçi yorumları

Lütfen bekleyiniz...
Toplam 1000 karakter

Diğer Haberler

e-Sirket.com, Nette İnternet Teknolojileri Bilişim Sistemleri San. Tic. Ltd. Şti.’nin Tescilli Markasıdır. © 2006 e-Sirket.com Tüm Hakları Saklıdır.
Sitemizde yer alan yazı, resim ve haberler izinsiz ve kaynak gösterilmeden kullanılamaz.
e-Sirket.com bir nette interactive projesidir Hata bildir